Sic silīcija karbīds

SiC silīcija karbīdam nav kušanas un viršanas punkta vispārējā nozīmē, un tam ir neliels termiskās izplešanās koeficients un augsta siltumvadītspēja. Augstas tīrības siC pretestība samazinās, paaugstinoties temperatūrai, un saistība starp SiC saturošo piemaisījumu pretestību un temperatūru ir sarežģīta
Sic silīcija karbīds ir svarīgs neorganisks nemetālisks materiāls un trešās paaudzes pusvadītāju materiāls.
SiC silīcija karbīds ir sava veida materiāls ar augstu cietību, augstu kušanas temperatūru, augstu ķīmisko stabilitāti, labu siltumvadītspēju un lieliskas elektriskās īpašības.
To var izmantot abrazīvos, refraktoros, ķīmiskajās vielās, elektroniskajās ierīcēs, automobiļu un kodolenerģijas laukos.
Elektroniskā iepakojuma laukā to var izmantot kā iepakojuma materiālu, lai ātri veiktu siltumu; Nodiluma izturīgā pārklājuma jomā to var izmantot, lai sagatavotu izturīgu pārklājumu, uzlabot mehānisko detaļu, instrumentu utt. Kalpošanas laiku; Optikas jomā to var izmantot ultravioleto detektoru, optisko logu ražošanai utt.
Cenu faktors: Semiconductor pakāpes izejvielām ir augstas tīrības prasības, augstas attīrīšanas izmaksas, un to izmaksas bieži ir 3-5} reizes vairāk nekā rūpnieciskās pakāpes izejvielas, un pieprasījums pēc tehnoloģiju uzlabojumiem var paaugstināt cenas īstermiņā.